danh mục sản phẩm
MÁY KIỂM TRA 3D BỀ MẶT WD4000 Series Chotest
- Bảo hành sản phẩm 12 tháng
- Giao hàng miễn phí toàn quốc
- Hỗ trợ tư vấn kỹ thuật 24/7 (cả dịp Lễ, Tết)
- Bảo hành nhanh chóng khi khách hàng phản hồi
HỆ THỐNG KIỂM TRA BỀ MẶT WAFER WD4000 Series của Chotest
Dưới đây là tổng quan chi tiết về hệ thống đo và kiểm tra bề mặt 3D wafer (Unpatterned Wafer 3D Inspection System) – WD4000 Series của Chotest / 中图仪器 (một thiết bị chuyên dụng trong đo lường quang học bán dẫn):
1. Giới thiệu chung về máy kiểm tra bề mặt hãng Chotest WD4000 Series
WD4000 Series là hệ thống kiểm tra bề mặt 3D cho wafer. Máy thực hiện phép đo không tiếp xúc (non-contact) để thu thập dữ liệu 3D bề mặt và các tham số vật lý quan trọng trên wafer như độ dày, biến dạng, độ cong và độ nhám. Dữ liệu này hỗ trợ kiểm soát chất lượng và đánh giá quá trình sản xuất wafer trong bán dẫn và các ứng dụng vi điện tử khác.
2. Các tính năng chính của máy kiểm tra bề mặt hãng Chotest WD4000 Series
Đo lường 3D không tiếp xúc
-
Sử dụng cảm biến quang học white light confocal (đo dày, độ cong) và white light interferometry (đo bề mặt 3D) để quét và tái tạo hình dạng bề mặt wafer.
Tham số đo chính
Thiết bị cho phép thu các tham số quan trọng của wafer:
-
Độ dày (Thickness)
-
TTV (Total Thickness Variation) – biến thiên độ dày tổng thể
-
BOW – độ cong bề mặt
-
WARP – biến dạng tổng thể
-
LTV (Local Thickness Variation) – biến thiên độ dày cục bộ
-
Độ nhám bề mặt, đường nhám (line roughness)
… và các tham số 3D khác của vi cấu trúc bề mặt.
3. Thông số kỹ thuật nổi bật về máy kiểm tra bề mặt hãng Chotest WD4000 Series
| Thuộc tính | Thông số |
|---|---|
| Kích thước wafer hỗ trợ | 4", 6", 8", 12" |
| Dải đo độ dày vật liệu | 100 µm ~ 2000 µm |
| Độ chính xác đo bề mặt 3D | ±0.25 µm, lặp lại ±0.2 µm |
| Độ phân giải quét | ~25 nm (lưỡng hướng), Z-axis ~0.1 nm |
| Phương pháp quét | Full map, dạng “Union Jack” hoặc đa điểm tự do |
| Vật liệu wafer | Silic, GaAs, SiC, sapphire, GaN, Ge, … nhiều loại vật liệu bán dẫn & thủy tinh |
| Hệ thống lấy mẫu | Chuck hút chân không chống tĩnh điện |
| Khung & kích thước máy | Khung đá đá lớn, kháng rung; ~1500×1500×2000 mm, ~1500 kg |
| Yêu cầu môi trường | Nhiệt độ ~20 °C ±1 °C; độ ẩm 30–80 % |
4. Phạm vi ứng dụng của máy kiểm tra bề mặt Chotest WD4000 Series
Thiết bị rất phù hợp cho:
-
Kiểm soát chất lượng wafer trong sản xuất chip bán dẫn
-
Đo độ dày/độ cong wafer trước và sau khi gia công mỏng
-
Đánh giá độ nhám và hình dạng bề mặt wafer trong nghiên cứu & phát triển
-
Các ngành điện tử, MEMS, quang điện tử, vật liệu mới
Máy có thể tái tạo hình dạng 3D bề mặt wafer không có mẫu để phân tích chi tiết hơn, không chỉ đo độ dày đơn thuần.
5. Lợi ích chínhcáy đo wafer 3D không tiếp xúc Chotest WD4000 Series
-
Đo không tiếp xúc → bảo toàn chất lượng wafer
-
Đa tham số đo cùng lúc → tiết kiệm thời gian và tăng độ chính xác
-
Hỗ trợ nhiều loại vật liệu và kích thước wafer
-
Phù hợp cho quy trình R&D và sản xuất công nghiệp
| Model No. | WD4100 | WD4200 | |
| Wafer Size | 4", 6" 8" 12" | ||
| Wafer Table | Vacuum chuck | ||
| Loading and Unloading | Manual(Auto robot arm is optional) | ||
| XYZ Travel range | 400mm/400mm/75mm | ||
| Max Moving speed | 500mm/s | ||
| Main Frame | Marble | ||
| Anti-Vibration | Air-floating anti-vibration system | ||
| Loading capacity | <=3kg | ||
| Overall Size | 1500x1500x2000mm | ||
| Weight | About 1500kg | ||
| Compressed Air | 0.6MPa; 60L/min | ||
| Working Environment | Temp, 20°C+1°C/hour, RH 30~80% | ||
| Ambient Vibration | VC-C or better | ||
| Thickness Measurement System | |||
| Material of Object | Arsenide, nitride, phosphorus, germanium, phosphorurate, lithlum crickets,sapphire, slllcon, silicon carblde. glass, etc |
||
| Sensor | High-precision white light confocal sensors | ||
| Measuring range | 100μm~2000μm | ||
| Scanning Path | Full map area scanning, Union Jack path, free multi-point | ||
| Accuracy | ±0.25μm | ||
| Repeatability( σ) | 0.2μm | ||
| Resolution | 25nm | ||
| Measurement Parameters | Thickness, TTV (Total thickness variation), LTV, BOW, warp, fatness, line roughness | ||
| 3D microtopography Measurement System | |||
| Measurement Principle | ---- | White llght interferometry | |
| Light Source | ---- | White LED | |
| Objective Lens | ---- | 10X(2.5X, 5X, 20X, 50X are optional) | |
| Field of View | ---- | 0.96 * 0.96 mm | |
| Lens Turret | ---- | Single hole | |
| Level Adjustment | ---- | ±2° | |
| Z-axis Scanning Range | ---- | 5 mm | |
| Z-axis Resolution | ---- | 0.1nm | |
| Lateral Resolution | ---- | 0.5~3.7μm | |
| Scanning Speed | ---- | 2.5~5.0μm/s | |
| Characters of Test Object | ---- | Reflectivity 0.05%~100% | |
| Roughness RMS Repeatability*1 | ---- | 0.08nm | |
| Step Height Measurement*2 |
Accuracy | ---- | 1% |
| Repeatability | ---- | 0.2%1σ | |
| Measurement Parameters | ---- | Microtopography, line/surface roughness. spatial frequency, etc. |
|
| *1 Roughness performance is obtained by measuring SQ parametersfor a 0.2nm SA slicon wafer in the laboratory environmant according to ISO 25178. *2 Step height performance is obtained by measuring a standard 4.7μm stage block in the laboratory environment acording to IS0 5436-1:2000. |
|||
